IGBT
-
G23N60UFD
Høyhastighetskobling Lav metningsspenning: VCE(sat) = 2,1 V ved IC = 12A Høy inngangsimpedans CO-PAK, IGBT med FRD: trr = 42ns (typ.) Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) UFD-serie gir lave lednings- og koblingstap. UFD-serien er designet for applikasjoner som motorstyring og generelle omformere der høyhastighetskobling er nødvendig.
69,00 kr
